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纳芯微推出的GaN功率芯片，内部集成了GaN HEMT和专用驱动器，降低了驱动和功率回路杂散电感的影响，有利于实现GaN HEMT的安全、可靠工作，同时简化了外围电路设计和布板面积，从而最大限度地提升效率和功率密度。
产品选型表
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| 产品名称 | 产品类型 | 母线电压(V) | 导通电阻(mΩ) | 导通电流(A) | 特性 | 工作温度(°C) | 产品等级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSG65N15K-DQAFR | 半桥 | 700 | 150 | 20 | UVLO、可调死区时间、集成自举二极管 | -40~125 | 工业级 | QFN32 |
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