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>600V半桥驱动

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高压半桥GaN驱动芯片

NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压,200V/ns的SW电压变化斜率,同时具有低传输延时和低通道间延时的特性。两通道均能提供+1A/-2A的驱动能力。高低边的驱动级都采用了专门的电压调节器,以确保驱动电压在GaN栅极可接受的稳定范围内,使得GaN不论在何种情况下,都能正常工作。同时具备了UVLO保护功能,保护电源系统工作安全。NSD2621提供了高集成度的LGA (4*4mm)封装。

产品特性

•  高压侧电压范围:+/-700V

•  高低边独立 UVLO 保护功能

•  +2/-4A 驱动电流能力

•  内置LDO,使驱动电压更稳定可靠

•  低于 60ns 传播延时,低于 10ns 高低边延时匹配

•  +5/-5V 逻辑地偏置

•  200kV/us 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力

•  Operation ambient t emperature:-40℃ ~125℃

•  封装形式: LGA (4*4mm)

•  驱动电压输出 NSD2621A : 6V/ NSD2621B : 5.5V/ NSD2621C: 5V

应用场景

•  半桥、全桥、LLC电源拓扑

•  适配器高密电源

•  太阳能、电机驱动及新能源领域

功能框图

nsd2621.png

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