我们非常重视您的个人隐私，当您访问我们的网站时，请同意使用的所有cookie。有关个人数据处理的更多信息可访问《隐私政策》
NSI6602V是纳芯微第二代高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 增强了抗干扰能力和驱动能力，且功耗更低，同时提高了输入侧的耐压能力。可以驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个通道输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大6A/8A的拉灌电流能力。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的最大供电电源电压为28V,而输入侧则接受3V至18V的电源供电电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。同时有多个欠压点可供选择。最低欠压点支持4V, 可用于驱动GaN 功率器件。它还有多个封装可供选择，最小封装是4*4mm LGA封装，可用于对体积要求高的场景。NSI6602V在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOP16封装中提供3000Vrms隔离, 在SOW16和SOW14封装中提供5700Vrms隔离。
产品特性
• 隔离式双通道驱动器
• 输入侧电源电压: 3V至18V
• 驱动器侧电源电压: 最大耐压30V，具有UVLO功能
• 峰值6A/8A拉灌电流能力
• 高CMTI:150kV/us
• 25ns典型传播延迟
• 5ns最大延迟匹配
• 6ns最大脉冲宽度失真
• 可编程死区时间
• 接受最小输入脉冲宽度15ns
• 工作温度: -40℃~125℃
• 封装形式: LGA13(4*4mm), LGA13(5*5mm), SOW14, SOW16, SOP16
• AEC-Q100认证
安全认证
• UL1577认证:
• LGA13：1分钟 2.5kVrms
SOIC14(300mil)：1分钟 5kVrms
SOIC16(300mil)：1分钟 5kVrms
SOIC16(150mil)：1分钟 3kVrms
• CQC认证：符合GB4943.1-2011
• CSA认证：组件符合5A
• VDE认证：DIN V VDE V 0884-11：2017-1
应用场景
• 服务器，电信和工业中的隔离式DC-DC和AC-DC电源
• DC-AC太阳能逆变器
• 电机驱动和EV充电
• UPS和电池充电器
功能框图
如您需要咨询产品更多信息，请点击“联系我们”，我们将尽快回复您!
您好，感谢您的咨询。
请提供以下信息，我们会尽快安排相关人员与您对接，谢谢。
