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GaN半桥驱动

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高压半桥GaN驱动芯片

NSD2621是纳芯微最新推出的专为GaN设计的高压半桥驱动芯片。该芯片采用了纳芯微的成熟电容隔离技术,高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压,150 V/ns的SW电压变化斜率,同时具有低传输延时和低通道间延时的特性。两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。

高低边的驱动级都采用了专门的电压调节器,以确保驱动电压在GaN栅极可接受的稳定范围内,使得GaN不论在何种情况下,都能正常工作。同时具备了UVLO保护功能,保护电源系统工作安全。

产品特性

- 高压侧电压范围:+/-700V;

- 高低边独立 UVLO 保护功能;

- +2/-4A 驱动电流能力;

- 内置LDO,使驱动电压更稳定可靠;

- 低于 60ns 传播延时,低于 10ns 高低边延时匹配;

- +5/-5V 逻辑地偏置;

- 150V/ns 的高压侧 dV/dt 抗干扰能力;

- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃

- 封装形式: LGA (4*4mm)

- 驱动电压输出NSD2621A: 6V/ NSD2621B: 5.5V/ NSD2621C: 5V

应用场景

- 半桥、全桥、LLC电源拓扑

- 适配器高密电源

- 太阳能、电机驱动及新能源领域

功能框图

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设计和开发

技术视频
  • 纳芯微GaN半桥驱动和功率芯片电路详解
  • GaN驱动设计痛点与纳芯微解决方案介绍

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