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纳芯世界
纳芯微高压半桥驱动芯片NSD1624x-Q1具有+4/-6A驱动电流能力，可用于驱动MOSFET/IGBT等各种功率器件。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200V的直流电压，同时SW可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、LLC电源拓扑上。
NSD1624x-Q1可兼容TTL/CMOS输入。高压侧和低压侧均有独立的供电欠压保护功能（UVLO），能在10~20V电压范围内工作。
产品特性
• 高压侧电压范围：+/-1200V（SOP14封装）；+/-700V（SOP8封装）
• 低于35ns传播延时，低于7ns延时匹配
• +4/-6A 驱动电流能力
• 高低侧独立UVLO功能
• 独立逻辑地管脚（SOP14封装）
• 高达150kV/us的高压侧dV/dt抗干扰能力
• 工作温度范围：-40℃~125℃
• 通过AEC-Q100认证
应用场景
• 半桥、全桥、LLC电源拓扑
• 高效高密度工业、通信、服务器电源
• 太阳能、电机驱动及新能源领域
功能框图
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